電感耦合等離子體原子層沉積設備參數

1、 反應腔系統

★1)樣品臺為不小于4英寸雙腔腔體，加熱溫度范圍：室溫至500℃，并且操作者可以控制設置，控制精度≤1℃，直徑100 mm基底范圍內溫度均一性2℃；

2)樣品臺直徑100 mm，可以生長4英寸晶圓及以下尺寸樣品；

3) 4路液源，3路載氣輔助源；

▲4)設備可用于沉積單一薄膜、納米疊層與梯度薄膜的沉積和摻雜質等；可在納米孔洞、臺階等高深寬比的納米結構上沉積薄膜，具有良好的臺階覆蓋性；

▲5)設備本底真空小于或等于1 Pa，腔體漏率小于或等于5×10 -10Pa?m3/s。

2、前驅體源輸送系統

1)為減少薄膜在前驅體輸送管路內的污染，前源輸送管路與金屬前驅體源輸送管路單獨進入反應腔體。

★2)配備6路金屬前驅體源輸送管路，加熱源3路，載氣輔助源3路，配備載氣管路和質量流量控制器。

★3)金屬前驅體源輸送管路均包裹在加熱套中，很高加熱溫度250℃。配置溫度傳感器，溫度控制精度≤±1℃。

▲4)每路管路配備ALD專用閥門，為自帶吹掃功能的三孔閥，響應時間小于5 ms，采用耐高溫執行器，耐溫200℃，閥體材料為不銹鋼。閥體內置有直徑為1/8英寸的加熱器，外包保溫套，很高加熱溫度200℃，溫度控制精度≤±1℃。

▲5)每路加熱源輸送管路和載氣輔助源輸送系統，分別配備1個ALD專用閥門、1套加熱源容器以及加熱保溫系統。加熱源容器加熱保溫套，很高加熱溫度可達250℃，溫度控制精度≤±1℃。

6)管路及接頭均采用電解拋光不銹鋼材料，所有氣體管路連接處采用金屬VCR密封；載氣管路采用N2或者Ar氣體，通過質量流量控制器控制；配備惰性氣體自清洗系統，在控制界面中可以根據需求設置自動清洗的次數。

3、等離子體源及控制

1)采用電感耦合等離子體(ICP)發生器，電極與襯底距離不小于200 mm；

▲2)提供2路可用于等離子體工藝氣路，包含ALD專用隔膜閥和流量控制器；

3)獨立進氣口，與金屬前驅體源、氧源分開；

▲4)采用13.56 MHz射頻電源，功率1%-可調，配備自動匹配器，匹配時間≤5秒。

5)等離子體系統與控制界面集成，可在界面上查看等離子體入射功率及反射功率的實時動態曲線和歷史曲線，便于分析實驗數據。

4、臭氧源系統：

1)配備臭氧發生器、臭氧破壞器、控制臭氧的質量流量控制器；

▲2)臭氧發生器產量很高可達10 g/h，濃度可達100 g/m3；

3)臭氧發生器采用風冷方式，無需配備冷卻水；

5、真空系統：

1)真空泵采用雙級油封式真空泵，抽速不低于90 m3/h；

2)真空測量：配備壓力傳感器，檢測范圍：5E-4~1000 mbar；

▲3)真空抽氣管道可以烘烤至150℃，且真空泵前級配置熱阱，加熱溫度很高不低于300℃，控制精度≤±1℃；

6、操作系統可編輯配方，可對工藝參數沉積溫度、閥門編號、前驅體源脈沖時間、清洗時間、流量進行編輯、保存以及導入配方；實時展示閥門開關狀態、腔室壓力狀態、配方進展、薄膜沉積剩余時間；所有ALD閥門具備自動排空功能，所有管路具備自動清洗功能;含獨立的高級設置界面，可對各個溫度進行PID調試、編輯前驅體源標簽、查看前驅體源使用循環次數。

▲7、預留可供其他同類型設備通過手套箱互聯的接口；

8、驗收指標（投標時需提供承諾函并加蓋投標人公章）：

1)中標人須提供氧化鋁Al2O3、氧化鎵Ga2O3、氧化銦In2O3、氧化錫SnO2、氧化鋅ZnO薄膜的標準工藝配方；

▲2)薄膜均勻性：在4英寸晶圓上沉積50 nm厚氧化鋁Al2O3，前驅體為三甲基鋁TMA和水，在晶圓上均勻取13個分散點(每兩點間距不小于20毫米)進行橢偏儀測試膜厚，如圖所示，4英寸晶圓上薄膜均勻性≤±1%。(驗收時提供檢測報告)

★9、配置清單（不得低于下列標準）：

1) 1套電感耦合等離子體原子層沉積設備主機；

2) 1套雙腔反應腔；

3) 1套常溫液源管路，相應源瓶1套；

4) 3套加熱源管路(溫度≥250 ℃)，相應源瓶3套；

5) 3套載氣輔助源管路(溫度≥250 ℃)，相應源瓶3套；

6) 1套臭氧源系統；

7) 1套等離子源系統，2路等離子體工藝氣路；

8) 1套用于吸附殘留前驅體源的熱阱；

9) 1套機械泵；

10) 備品備件1套(含腔體密封圈、墊片等耗材)、使用手冊、說明書、維修手冊，標準工藝手冊等各1套。